6月17日|在2026年VLSI(超大規模集成電路)國際研討會上,英特爾代工部門介紹,Intel 18A-P作為Intel 18A系列的首個性能增強版本,現已進入風險試產階段。藉助Intel 18A製程節點,經將全環繞柵極(GAA)晶體管和背面供電(BSPD)技術推向市場。此外,英特爾代工還介紹了未來芯片微縮相關領域的研究進展:在互補場效應晶體管(CFET)方面,英特爾展示了單片式CFET反相器,其NMOS與PMOS器件垂直堆疊,柵極間距為45nm;英特爾展示了300mm晶圓上的單片集成技術,將氮化鎵功率器件與硅基邏輯(包括一個約1,000個邏輯門的數字控制模塊)集成在一起;英特爾還展示了採用空氣間隙集成的減成法釕互連技術,與銅互連相比,電容降低高達約35%,且頻率提升顯著。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯